Plasma-therm RIE / ICP干法刻蝕設備

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產品描述

Plasma-Therm是致力于RIE/ICP的世界知名設備提供商, 產品涵蓋2”~ 8”主流ICP干法刻蝕工藝,廣泛應用于三五族(GaAs / SiC )、GaN功率及射頻器件、VCSELs器件等化合物產業,以及MEMS和Si基半導體產業。


儀器簡介

  • 1.配置:2”~8” 手動 / 半自動 / 全自動(片盒對片盒) /全自動多腔(片盒對片盒)
  • 2.領域 :三五族(GaAs / SiC),GaN功率及射頻器件、VCSELs的器件等化合物產業及MEMS和Si基半導體產業等
  • 3.制程 : RIE / ICP

儀器特點

  • 1.刻蝕速率可調
  • 2.低損傷控制(專利技術)
  • 3.側壁的角度和粗糙度控制技術
  • 4.極佳的刻蝕均勻性控制
  • 5.極佳的批次均勻性控制
  • 6.超長的平均開腔清潔時間間隔以及精準靈敏的刻蝕斷點監測技術

應用領域

  • 1.三五族化合物半導體(GaAs / SiC,GaN功率及射頻器件,InP器件,InSb銻化物器件)
  • 2.MEMS微機電
  • 3.濾波器器件
  • 4.石英基底的光通訊器件

GaAs Via VCSELs DBR VCSELs DBR
     
 SiC前表面 AlGaN(GaN)低損傷 AlGaN(GaN)低損傷
     
InSb InP InP

 

石英的Microlens  石英的Fresnel Lens

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