ALD原子層沉積設備

聯絡人:李安芃

聯絡電話:+86-21 18918393270

電子郵件:harrison.lee@scientech.com.cn

 

產品描述

 

Picosun是致力于ALD原子層沉積設備的世界知名設備提供商, 產品涵蓋2”~ 12”主流ALD工藝,廣泛應用于三五族(GaN / SiC )功率及射頻器件、VCSELs器件等化合物產業,以及MEMSSi基半導體產業。
 
 

儀器簡介

  • 配置:2”~12” 手動設備/ 全自動設備(片盒對片盒) / 全自動多腔設備(片盒對片盒搭配星型平臺)
  • 領域 : 三五族(GaN / SiC )功率及射頻器件、VCSELs器件等化合物產業,以及MEMSSi基半導體產業,及Mini LED / Micro LED產業等
  • ALD原子層沉積的主要材料:
    • 氧化物:Al2O3, AlxTiyOz, HfO2, In2O3, MgO, SiO2, SrTiOx, Ta2O5, TiO2, Y2O3, ZnO, ZnO:Al, ZrO2, La2O3, CeO2,
    • 氮化物:AlN, TiAlCN, TiN, TaNx, …
    • 金屬:Ir, Pd, Pt, Ru, …
    • 親水層或者疏水層:FDTS…

 

特點

  • Picosun公司有多年研發ALD設備的技術經驗,團隊的主要技術人員由ALD技術的發明人Dr. Tuomo Suntola來帶領。
  • Picosun ALD設備具有高穩定性與高可靠度
  • Picosun ALD設備具有成熟的軟硬件設計及完善QC系統
  • Picosun ALD設備配置靈活,包含手動、半自動、全自動多腔片盒對片盒)型號滿足實驗室研發及量產客戶需求
  • Picosun ALD設備在化合物半導體行業,MEMS行業,Micro LED / Micro OLED行業均有較高的占有率。

 

  • Classone電鍍設備主要技術優勢:
  • 高深寬比的圖形電鍍能力,有成功案例用于深寬比>1000:1的圖形ALD工藝;
  • ALD工藝的鍍膜均勻性一致性極佳;
  • ALD工藝的step coverage極佳;
  • 設備的高穩定性, uptime > 90%;

 

 

應用領域

  • 三五族化合物半導體(SiC,GaN功率及射頻器件)
  • MEMS微機電
  • Si基的CMOS器件
  • Micro LED
  • Micro OLED

色综合久久五月色婷婷_色五月色开心色婷婷色丁香_婷婷五月开心色婷在线