儀器簡介

• 配置：2”~12” 手動設備/ 全自動設備(片盒對片盒) / 全自動多腔設備(片盒對片盒搭配星型平臺)
• 領域 : 三五族(GaN / SiC )功率及射頻器件、VCSELs器件等化合物產業，以及MEMS和Si基半導體產業，及Mini LED / Micro LED產業等
• ALD原子層沉積的主要材料：
  • 氧化物：Al2O3, AlxTiyOz, HfO2, In2O3, MgO, SiO2, SrTiOx, Ta2O5, TiO2, Y2O3, ZnO, ZnO:Al, ZrO2, La2O3, CeO2,
  • 氮化物：AlN, TiAlCN, TiN, TaNx, …
  • 金屬：Ir, Pd, Pt, Ru, …
  • 親水層或者疏水層：FDTS…

特點

• Picosun公司有多年研發ALD設備的技術經驗，團隊的主要技術人員由ALD技術的發明人Dr. Tuomo Suntola來帶領。
• Picosun ALD設備具有高穩定性與高可靠度
• Picosun ALD設備具有成熟的軟硬件設計及完善QC系統
• Picosun ALD設備配置靈活，包含手動、半自動、全自動多腔片盒對片盒)型號滿足實驗室研發及量產客戶需求
• Picosun ALD設備在化合物半導體行業，MEMS行業，Micro LED / Micro OLED行業均有較高的占有率。

• Classone電鍍設備主要技術優勢：
• 高深寬比的圖形電鍍能力，有成功案例用于深寬比>1000:1的圖形ALD工藝；
• ALD工藝的鍍膜均勻性一致性極佳；
• ALD工藝的step coverage極佳；
• 設備的高穩定性， uptime > 90%；

應用領域

• 三五族化合物半導體(SiC，GaN功率及射頻器件)
• MEMS微機電
• Si基的CMOS器件
• Micro LED
• Micro OLED