PECVD / ICPCVD薄膜沉積設備

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Plasma-therm PECVD / ICPCVD薄膜沉積設備
 
                  
 
 

Plasma-Therm是致力于PECVD / ICPCVD(HDPCVD)的世界知名設備提供商, 產品涵蓋2”~ 8”主流PECVD / ICPCVD(HDPCVD)薄膜生長工藝,廣泛應用于三五族(GaAs / SiC )、GaN功率及射頻器件、VCSELs器件等化合物產業及MEMS和Si基半導體產業。

儀器簡介

◆配置:2”~8” 手動 / 半自動 / 全自動(片盒對片盒) / 全自動多腔(片盒對片盒)
◆領域 :三五族(GaAs / SiC),GaN功率及射頻器件、VCSELs的器件等化合物產業及MEMS和Si基半導體產業等
◆制程 : PECVD / ICPCVD(HDPCVD)

儀器特點

◆ Plasma-Therm公司有將近40年研發及制造PECVD相關設備的歷史
◆ Plasma-Therm設備具有高穩定性與高可靠度
◆ Plasma-Therm自有的軟硬件設計及完善QC系統
◆ Plasma-Therm設備配置靈活,包含手動、半自動、全自動(片盒對片盒)型號滿足實驗室研發及量產客戶需求
◆ Plasma-Therm設備在化合物半導體行業內高占有率:目前世界范圍內裝機數量超過2000臺
◆ Plasma-Therm PECVD / ICPCVD設備技術特性:
l 薄膜生長速率可調;
l 獨特的應力控制方法(低損傷應力控制)
l 啟輝功率低至8W,采用plasma發出的輝光作為斷點監控系統的光源,薄膜厚度實時監控
l 最優的片內厚度均勻性 < 1.5%
l 最優的批次間厚度均勻性 < 1.5%
◆Plasma-Therm連續15年被VLSI評為10 Best設備供應商

應用領域

◆ 三五族(GaAs / SiC,GaN功率及射頻器件,InP器件等)
◆ MEMS微機電
◆ Si基半導體
◆ 石英基底的光通訊器件

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