KLA Candela 8400 / 8420 / 8720表面顆粒(缺陷)檢測設備

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KLA Candela 8400 / 8420 / 8720表面顆粒(缺陷)檢測設備
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應用

◆ 硅片Si、化合物(GaAs, InP, SiC, GaN)樣片表面缺陷的檢查分析,包含微粒、劃傷、坑點、污染、痕跡,同時也可以添加PL功能用以檢測某些外延EPI缺陷。該設備可以兼容透明片和不透明片。

主要功能

KLA-Tencor Candela 8400 / 8420 / 8720面缺陷檢測設備是針對半導體行業的表面缺陷的檢查分析儀器。該設備利用激光掃描樣品的整個表面,通過4個頻道(散射光頻道、反射光頻道、相移頻道及Z頻道)的探測器所收集到的信號,快速的將缺陷(包括微粒、劃傷、坑點、污染、痕跡等)進行分類,統計每一種缺陷的數量并且量測出相應的缺陷尺寸,最后給出整個表面的缺陷分布圖以及檢測報告。根據預先設定的標準,可以給出檢測樣品合格與否的判斷。同時8720型號可以針對化合物GaN外延材料進行高精度的外延缺陷(裂痕,凹坑等)檢測,在化合物外延領域擁有很好的市場占有率。

主要特點

◆ 標準夾具從2英寸到8英寸的樣品; 
◆ 可用于不透明及透明的材料的表面缺陷檢測; 
◆ 可偵測的缺陷類型:顆粒,劃傷,突起,凹坑,水漬等; 
◆ 可偵測化合物GaN外延材料的專有外延缺陷;
◆ 手動8400 和自動傳輸模式8420 / 8720;  
◆ 高精度的顆粒缺陷靈敏度(80nm直徑); 
◆ 強大的自動缺陷分類、統計分布和判別軟件。缺陷分布圖以及檢測報告內的每一個缺陷都有4個頻道拍到的照片儲存在設備內部,這些照片可以輔助技術人員分析缺陷的成因及進行相關驗證。 
◆ 內部的過濾器可以保證內部的潔凈環境為10級,防止內部污染的同時該儀器還能長期保持穩定準確。擁有優秀的售后服務保障體系。
 

應用行業

◆ 化合物半導體:GaAs,InP, SiC,GaN 
◆ 硅基器件:功率器件,MEMS,射頻MEMS
◆ 光通訊:石英材料類 

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