Plasma-therm RIE / ICP干法刻蝕設備

儀器簡介: ◆配置:2”~8” 手動 / 半自動 / 全自動(片盒對片盒) /全自動多腔(片盒對片盒) ◆領域 :三五族(GaAs / SiC),GaN功率及射頻器件、VCSELs的器件等化合物產業及MEMS和Si基半導體產業等 ◆制程 : RIE / ICP

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