ALD原子層沉積設備

儀器簡介: ?配置:2”~12” 手動設備/ 全自動設備(片盒對片盒) / 全自動多腔設備(片盒對片盒搭配星型平臺) ?領域 : 三五族(GaN / SiC )功率及射頻器件、VCSELs器件等化合物產業,以及MEMS和Si基半導體產業,及Mini LED / Micro LED產業等 ?ALD原子層沉積的主要材料: o氧化物:Al2O3, AlxTiyOz, HfO2, In2O3, MgO, SiO2, SrTiOx, Ta2O5, TiO2, Y2O3, ZnO, ZnO:Al, ZrO2, La2O3, CeO2, o氮化物:AlN, TiAlCN, TiN, TaNx, … o金屬:Ir, Pd, Pt, Ru, … o親水層或者疏水層:FDTS…

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