Plasma-therm RIE / ICP干法刻蝕設備

儀器簡介: ◆配置:2”~8” 手動 / 半自動 / 全自動(片盒對片盒) /全自動多腔(片盒對片盒) ◆領域 :三五族(GaAs / SiC),GaN功率及射頻器件、VCSELs的器件等化合物產業及MEMS和Si基半導體產業等 ◆制程 : RIE / ICP

Plasma-therm HDRF干法低溫去膠去Polymer及DRIE深硅刻蝕側壁平滑設備

儀器簡介: ◆配置:2”~8” 手動 / 半自動 / 全自動(片盒對片盒) / 全自動多腔(片盒對片盒) ◆領域 : MEMS和功率器件產業 ◆應用 : 低溫去膠 / 去側壁Polymer / 深孔側壁平滑

Plasma-therm DRIE深硅刻蝕設備

Plasma-Therm是致力于DRIE深硅刻蝕的世界知名設備提供商, 產品涵蓋2”~ 8”的樣片范圍,廣泛應用于MEMS等相關行業。 儀器簡介: ◆配置:2”~8” 手動 / 半自動 / 全自動(片盒對片盒) /全自動多腔(片盒對片盒) ◆領域:MEMS微機電器件 ◆制程:DRIE深硅刻蝕(Bosch 工藝)

PECVD / ICPCVD薄膜沉積設備

Plasma-Therm是致力于PECVD / ICPCVD(HDPCVD)的世界知名設備提供商, 產品涵蓋2”~ 8”主流PECVD / ICPCVD(HDPCVD)薄膜生長工藝,廣泛應用于三五族(GaAs / SiC )、GaN功率及射頻器件、VCSELs器件等化合物產業及MEMS和Si基半導體產業。 儀器簡介: ◆配置:2”~8” 手動 / 半自動 / 全自動(片盒對片盒) / 全自動多腔(片盒對片盒) ◆領域 :三五族(GaAs / SiC),GaN功率及射頻器件、VCSELs的器件等化合物產業及MEMS和Si基半導體產業等 ◆制程 : PECVD / ICPCVD(HDPCVD)

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