LT / S4 / S8單片電鍍設備

Classone是致力于單片電鍍設備的世界知名設備提供商, 產品涵蓋2”~ 8”主流電鍍工藝,廣泛應用于三五族(GaAs / SiC )、GaN功率及射頻器件、VCSELs器件等化合物產業,以及MEMS和Si基半導體產業。

ALD原子層沉積設備

儀器簡介: ?配置:2”~12” 手動設備/ 全自動設備(片盒對片盒) / 全自動多腔設備(片盒對片盒搭配星型平臺) ?領域 : 三五族(GaN / SiC )功率及射頻器件、VCSELs器件等化合物產業,以及MEMS和Si基半導體產業,及Mini LED / Micro LED產業等 ?ALD原子層沉積的主要材料: o氧化物:Al2O3, AlxTiyOz, HfO2, In2O3, MgO, SiO2, SrTiOx, Ta2O5, TiO2, Y2O3, ZnO, ZnO:Al, ZrO2, La2O3, CeO2, o氮化物:AlN, TiAlCN, TiN, TaNx, … o金屬:Ir, Pd, Pt, Ru, … o親水層或者疏水層:FDTS…

Plasma-therm RIE / ICP干法刻蝕設備

儀器簡介: ◆配置:2”~8” 手動 / 半自動 / 全自動(片盒對片盒) /全自動多腔(片盒對片盒) ◆領域 :三五族(GaAs / SiC),GaN功率及射頻器件、VCSELs的器件等化合物產業及MEMS和Si基半導體產業等 ◆制程 : RIE / ICP

Plasma-therm HDRF干法低溫去膠去Polymer及DRIE深硅刻蝕側壁平滑設備

儀器簡介: ◆配置:2”~8” 手動 / 半自動 / 全自動(片盒對片盒) / 全自動多腔(片盒對片盒) ◆領域 : MEMS和功率器件產業 ◆應用 : 低溫去膠 / 去側壁Polymer / 深孔側壁平滑

Plasma-therm DRIE深硅刻蝕設備

Plasma-Therm是致力于DRIE深硅刻蝕的世界知名設備提供商, 產品涵蓋2”~ 8”的樣片范圍,廣泛應用于MEMS等相關行業。 儀器簡介: ◆配置:2”~8” 手動 / 半自動 / 全自動(片盒對片盒) /全自動多腔(片盒對片盒) ◆領域:MEMS微機電器件 ◆制程:DRIE深硅刻蝕(Bosch 工藝)

KLA Candela 900 / 920表面缺陷及EPI外延缺陷檢測設備

適用于Si硅片及GaN外延片,SiC基片及SiC外延片表面缺陷及EPI外延缺陷的檢測分析,包含微粒、劃傷、坑點、污染、痕跡,同時也可以添加PL功能用以檢測某些GaN EPI缺陷及SiC EPI缺陷。該設備可以兼容透明片和不透明片。

KLA Candela 8400 / 8420 / 8720表面顆粒(缺陷)檢測設備

KLA-Tencor Candela 8400 / 8420 / 8720面缺陷檢測設備是針對半導體行業的表面缺陷的檢查分析儀器。該設備利用激光掃描樣品的整個表面,通過4個頻道(散射光頻道、反射光頻道、相移頻道及Z頻道)的探測器所收集到的信號,快速的將缺陷(包括微粒、劃傷、坑點、污染、痕跡等)進行分類,統計每一種缺陷的數量并且量測出相應的缺陷尺寸,最后給出整個表面的缺陷分布圖以及檢測報告。根據預先設定的標準,可以給出檢測樣品合格與否的判斷。同時8720型號可以針對化合物GaN外延材料進行高精度的外延缺陷(裂痕,凹坑等)檢測,在化合物外延領域擁有很好的市場占有率。

FRT樣片厚度及TTV/BOW/Warp翹曲檢測設備

FRT Microprof系列設備是針對半導體行業的樣片厚度及TTV/BOW/Warp翹曲檢測的設備方案。該設備利用白光的光源,上下雙探頭的設計,測試時樣片放置在上下兩個探頭的中間位置,一次測試可以快速的提供樣片厚度及幾何參數相關的所有信息:厚度,TTV,Bow,Warp,TIR,LTV等。 同時該設備可以搭載紅外IR的探頭,該探頭可以穿透Si/GaAs等材料,監控背面減薄制程前后Si片或者GaAs片的厚度。FRT Microprof系列設備以其精準的測量能力,非接觸的測量方式,快速的測試速度,上下雙探頭符合SEMI標準的測試方式,使得該設備在半導體,MEMS,在化合物外延領域擁有很高的市場占有率。

PECVD / ICPCVD薄膜沉積設備

Plasma-Therm是致力于PECVD / ICPCVD(HDPCVD)的世界知名設備提供商, 產品涵蓋2”~ 8”主流PECVD / ICPCVD(HDPCVD)薄膜生長工藝,廣泛應用于三五族(GaAs / SiC )、GaN功率及射頻器件、VCSELs器件等化合物產業及MEMS和Si基半導體產業。 儀器簡介: ◆配置:2”~8” 手動 / 半自動 / 全自動(片盒對片盒) / 全自動多腔(片盒對片盒) ◆領域 :三五族(GaAs / SiC),GaN功率及射頻器件、VCSELs的器件等化合物產業及MEMS和Si基半導體產業等 ◆制程 : PECVD / ICPCVD(HDPCVD)

機械手臂

Genmark自動化公司為全球半導體,數據存儲和平板顯示器產業設計、開發和制造高精度機器人,并提供運動控制和集成工具的自動化解決方案,是一家在大氣和真空機器人領域的處于領先地位的OEM供應商。

Scientech濕法設備 Wet Process Machine

2002年,辛耘企業投入批次式濕製程設備研發製造,已經獲得國內外客戶採用與肯定。目前辛耘擁有 5,000㎡ 生產製造廠房,還擁有 Class 10 等級無塵室服務客戶製程驗證。產品包含手動 / 半自動 / 全自動的批次濕製程設備,提供客戶2”~12”製程應用需求。特有的 cassette type / boat type / cassette-less type 技術提供半導體晶圓、藍寶石、玻璃、太陽能晶圓、薄化晶圓等等..的應用。此外,專利產品Advantech Dry 提供客戶各種關鍵乾燥的製程應用。

T-Series水平式爐管

設備簡介: Tempress 是世界著名半導體擴散設備供應商,成立50年來已經供應超過2000套設備在半導體行業

SL473 Series: 晶圓激光打標系統

設備簡介: Towa 是業界領先的半導晶圓激光打標設備供應商,其前身是著名的LaserFront系統。

VeraFlex III XF ---X射線光電子光譜分析系統 (XPS)

設備簡介: Nova是半導體業界領先的專注于薄膜量測分析設備供應商,提供超高分辨率XPS+XRF in-line量測系統 VeraFlexIII+ XF是第四代超高分辨率XPS(X-Ray光電子光譜分析系統),用于超薄膜成分及厚度量測以達到薄膜工藝質量控制

NGR3550 ---電子束缺陷檢測及圖形測量分析系統

NGR是半導體業界領先的專注于電子束缺陷檢測,大規模幾何圖形測量分析判斷系統。NGR3550是新一代高分辨率型號

F50 系列 光學膜厚儀

F50 系列 自動化薄膜測繪 Filmetrics F50 系列的產品能以每秒測繪兩個點的速度快速的測繪薄膜厚度。一個電動R-Theta 平臺可接受標準和客制化夾盤,樣品直徑可達450毫米。(耐用的平臺在我們的量產系統能夠執行數百萬次的量測!) 測繪圖案可以是極座標、矩形或線性的,您也可以創造自己的測繪方法,并且不受測量點數量的限制。內建數十種預定義的測繪圖案。 不同的 F50 儀器是根據波長范圍來加以區分的。 標準的 F50是最受歡迎的產品。 一般較短的波長 (例如, F50-UV) 可用于測量較薄的薄膜,而較長的波長則可以用來測量更厚、更不平整以及更不透明的薄膜。

F20 系列光學膜厚儀

世界上最暢銷的臺式薄膜厚度測量系統 只需按下一個按鈕,您在不到一秒鐘的同時測量厚度和折射率。設置同樣簡單, 只需插上設備到您運行Windows?系統計算機的USB端口, 并連接樣品平臺 , F20已在世界各地有成千上萬的應用被使用. 事實上,我們每天從我們的客戶學習更多的應用. 選擇您的F20主要取決於您需要測量的薄膜的厚度(確定所需的波長范圍)

T150 UTM拉伸測量儀

T150 UTM拉伸測量儀能夠測量材料的應變率敏感度對時間的響應。 它采用電磁傳感器產生拉力(形成樣品上的負載),并結合精確的電容傳感,在很大的應變范圍內提供高靈敏度測量。 它還允許用戶使用動態表征模式研究生物材料的張力/壓縮特性,該模式能精確測量每一個測試點。

InSEM HT高溫測試系統

InSEM?HT(高溫)通過在真空環境中分別獨立加熱壓頭和樣品以測量高溫下的硬度、模量和剛度。 InSEM HT與掃描電子顯微鏡(SEM)和聚焦離子束(FIB)工作室,或獨立的真空工作室兼容。 配有的InView軟件可幫助高級研究人員開發新的實驗??茖W出版文獻表明,InSEM HT結果與傳統的大規模高溫測試數據匹配良好。測試溫度范圍寬以及擁有成本低的特點使InSEM HT成為材料開發研究計劃中很有價值的設備。

NanoFlip

NanoFlip納米壓痕儀可在真空和常壓條件下對硬度、模量、屈服強度、剛度和其他納米力學測試進行高精確度的測量。在掃描電子顯微鏡(SEM)和聚焦離子束(FIB)系統中,NanoFlip在測試(例如柱壓縮)方面表現優異,可以將SEM圖像與機械測試數據同步。NanoFlip測量迅速,這對于惰性環境(例如手套箱)中測試異質材料很關鍵。系統所配置的可選套件,例如InForce50電磁驅動器,可以提供定量結果,從而為材料研究提供有價值的解決方案。

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